10 Mantan Pegawai Samsung Ditangkap, Diduga Bocorkan Rahasia Perusahaan

Ringkasan berita:

• Otoritas Korea Selatan menangkap 10 mantan pegawai Samsung yang diduga membocorkan rahasia teknologi inti semikonduktor, khususnya proses manufaktur DRAM 10 nm, kepada perusahaan chip China CXMT sejak 2016. Kebocoran ini dinilai sangat serius karena teknologi tersebut hasil investasi besar Samsung dan menjadi keunggulan strategis industri semikonduktor Korea.
• Pembocoran teknologi berdampak besar pada kerugian Samsung dan ekonomi Korea, karena memungkinkan CXMT memproduksi DRAM 10 nm dan mengembangkan HBM hingga merebut pangsa pasar global. Kerugian Samsung ditaksir mencapai triliunan won, dengan penurunan penjualan sekitar 5 triliun won dalam setahun terakhir.

Aparat penegak hukum di Korea Selatan menangkap 10 mantan pegawai Samsung Electronics baru-baru ini.

Sepuluh orang tersebut diduga terlibat membocorkan rahasia teknologi inti semikonduktor Samsung, khususnya proses DRAM 10 nanometer, kepada perusahaan chip asal China, ChangXin Memory Technologies (CXMT) sejak 2016.

Kebocoran ini dinilai sangat serius karena pada saat terjadi, Samsung disebut menjadi yang pertama dan satu-satunya perusahaan yang memproduksi DRAM 10 nm secara massal. 

Teknologi ini juga tak murah. Samsung dilaporkan menggelontorkan investasi sekitar 1,6 triliun won Korea selama lima tahun untuk pengembangan produksi chip memori 10 nm ini.

Alhasil, kebocoran rahasia dapur Samsung ke perusahaan China ini merugikan Samsung dan ekonomi Korea secara umum.

Rugikan Samsung triliunan won

Samsung Newsroom Ilustrasi DRAM 10 nm buatan Samsung.

Menurut laporan outlet berita The Chosun Daily dari Korea, tersangka terdiri dari satu mantan eksekutif Samsung, sejumlah peneliti inti, serta kepala bagian yang sebelumnya terlibat langsung dalam pengembangan teknologi DRAM.

DRAM atau Dynamic Random Access Memory adalah memori utama yang bekerja di balik layar saat komputer, laptop, atau ponsel menjalankan aplikasi.

Ketika pengguna membuka browser, mengedit dokumen, atau bermain game, data sementara akan disimpan di DRAM agar bisa diakses cepat oleh prosesor. Inilah memori yang umum dikenal masyarakat sebagai RAM, misalnya RAM 8 GB atau 16 GB.

Nah, chip DRAM tersebut dibuat dengan proses fabrikasi 10 nm, jadi transistor dan sirkuit di dalam chip dibuat sangat kecil. Semakin kecil angkanya, semakin canggih teknologinya.

Mantan eksekutif berinisial A disebut berperan sebagai penghubung utama setelah pindah ke CXMT pada 2016.

Pada tahun yang sama, tersangka lain berinisial B, mantan peneliti Samsung, dituding menyalin sekitar 600 tahapan proses manufaktur DRAM secara manual ke dalam 12 lembar kertas untuk menghindari pelacakan digital.

Para tersangka disebut menjalankan aksinya secara terorganisasi, mulai dari mendirikan perusahaan cangkang (perusahaan yang ada hanya di atas kertas), berpindah-pindah kantor, hingga menggunakan pedoman internal untuk menghindari pengawasan aparat keamanan.

Teknologi DRAM 10 nm yang dibocorkan dari Samsung memungkinkan CXMT memproduksi DRAM 10 nm pertama buatan China pada 2023.

Dari situ, fondasi teknologi CXMT semakin kuat dan berlanjut ke pengembangan memori berkecepatan tinggi (high bandwidth memory/HBM).

Pada 2024, CXMT dilaporkan mulai memproduksi HBM2 secara massal. Perusahaan tersebut diperkirakan bisa merebut hingga 15 persen pangsa pasar.

Ini dinilai berdampak langsung pada kerugian bernilai triliunan won bagi Samsung Electronics dan perekonomian Korea Selatan secara keseluruhan.

Outlet media Tom's Hardware menerka, dampak kebocoran teknologi DRAM 10 nm itu menjadi salah satu faktor penurunan penjualan Samsung Electronics sekitar 5 triliun won dalam setahun terakhir.

Tag:  #mantan #pegawai #samsung #ditangkap #diduga #bocorkan #rahasia #perusahaan